高真空电阻热蒸发镀膜设备（PVD镀膜设备）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。
设备构成
- 单镀膜室
- 单镀膜室＋进样室
- 单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）
- 单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）
- 多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）
设备组成
电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。
热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。
可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。
热蒸发源种类及配置
电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；
电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。
高真空电阻热蒸发镀膜机
工作条件（实验室应具备的设备工作条件）
供电：4kW，三相五线制～AC 380V
工作环境湿度：10℃～40℃
工作环境温度：≤50%
冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～25℃
水压：0.15MPa ～ 0.25MPa
真空性能
极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa
设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa
操作方式
手动、半自动
生产型磁控溅射离子束多弧镀膜机
科研型柜式集成一体化高真空热蒸发镀膜机
关于我们
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。
公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的**装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
2005
-设计制造了中国di*yi台wan*quan自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISO9001质量管理体系证书
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项知识产权zhuan*li；
-企业信用评价3A*信用企业；/ISO三体系认证；
-子公司晶源半导体成立
2024~2026
-与jun*gong和和核工业客户合作取得突破（核反应堆材料的涂层工艺及装备、X 光感受板及光电器件的薄膜生长）
-鹏城微纳子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层
-gao*xin*ji*shu企业
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