真空高温 CVD 炉采用高温化学气相沉积的方法，在工件表面沉积各种薄膜，在半导体工业中应用非常广泛，包括沉积大面积的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料，例如：碳化钽涂层、碳化硅涂层材料。
例如：可在石墨工件表面沉积碳化钽涂层和碳化硅涂层。
适用于生产企业及各大高校材料实验室、科研院所、环保科学等领域。
设备构成
炉壳采用不锈钢材质，双层水冷结构，设有观察窗和红外测温窗、热电偶测温装置。
加热系统
设备内部安装加热器，形成薄膜沉积热场。
样品台系统
样品台可同时挂载若干工件。
测温和加热电源
1、温度控制和检测全部采用热电偶/钨铼热电偶/红外测温仪。
2、加热电源功率根据实际要求定制电源。
主要技术指标
| 类型 | 参数 |
| 功率 | 约150KW |
| 加热器工作温度 | ≤2200℃ |
| 真空度 | 6.67*10-3Pa（冷态空载） |
| 升压率 | 0.08pa/h |
