鹏城微纳 LPCVD 低压化学气相沉积设备

供货厂家
鹏城微纳技术(沈阳)有限公司  
品牌
鹏城微纳
报价
电议
起订
1 台
发货时间
120 天内
联系人
戴朝兰(先生)
电话
13632750017
手机
13632768393
询价邮件
sales1@hitsemi.com
发布日期
2026-03-04 15:19
编号
14443814
发布IP
113.88.13.137
区域
沈阳半导体设备
地址
沈阳市大东区望花南大街15号
请卖家联系我
详细介绍

LPCVD低压化学气相沉积设备(科研型LPCVD)是在低压高温的条件下,通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

设备结构及特点
1、小型化,方便实验室操作和使用,大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸;每次装片1~3片。
基片放置方式:配置三种基片托架,竖直、水平卧式、带倾角。
基片形状类型:不规则形状的散片、φ2~4英寸标准基片。
2、设备为水平管卧式结构
由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成,耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统,量值准确,性能稳定、可靠。

3、系统提供自动控制无扬尘装置

LPCVD设备主要技术指标

 类型

 参数 

 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等
 最高温度 1200℃
 恒温区长度 根据用户需要配置
 恒温区控温精度 ≤±0.5℃
 工作压强范围 13~1330Pa
 膜层不均匀性 ≤±5%
 基片每次装载数量 标准基片:1~3片;不规则尺寸散片:若干
 压力控制 闭环充气式控制
 装片方式 手动进出样品

LPCVD 低压化学气相沉积设备(生产型 LPCVD)
设备功能
该设备是在低压高温的条件下,通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。
可提供相关镀膜工艺。

091112113034769.jpg?sign=1

设备结构及特点:
设备为水平管卧式结构,由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成,耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统,量值准确,性能稳定、可靠。
整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理,实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。
设备主要技术指标

 类型

参数 

 成膜类型

 Si3N4、Poly-Si、SiO2等

 最高温度 1200℃
 恒温区长度 根据用户需要配置
 恒温区控温精度 ≤±0.5℃
 工作压强范围 13~1330Pa
 膜层不均匀性 ≤±5%
 基片每次装载数量 100片
 设备总功率 16kW
 冷却水用量 2m3/h
 压力控制 闭环充气式控制
 装片方式 悬臂舟自动送样

LPCVD软件控制界面

LPCVD手动运行界面

LPCVD实时运行监控界面

LPCVD自动运行界面

091234553034769.jpg?sign=1

LPCVD工艺编制界面

关于我们

鹏城微纳技术(沈阳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点,寻求创新yin*ling与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。

鹏城微纳技术(沈阳)有限公司是鹏城半导体技术(深圳)有限公司全资子公司,是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。

公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造,具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造,可为用户提供工艺研发和打样,可为生产企业提供生产型设备,可为科学研究提供科研设备。

公司人才团队知识结构完整,有工程师哈工大教授和博士,为核心的高水平材料研究和工艺研究团队,还有来自工业界的**装备设计师团队,他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。



公司团队技术储备及创新能力

1998~2002

-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延硅基GaN

-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机

2005

-设计制造了中国di*yi台wan*quan自主知识产权的MBE(分子束外延设备),用于外延光电半导体材料

2007

-设计超高温CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生长

-设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)

2015

-设计制造了金刚石涂层制备设备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜

2017

-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计

-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备

2019

-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备

2021

-鹏城半导体技术(深圳)有限公司成立

2022

-子公司鹏城微纳成立;

-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货

-获得ISO9001质量管理体系证书

2023

-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关;

-科技型中小企业-入库编号202344030500018573;

-创新型中小企业;

-获50+项知识产权zhuan*li;

-企业信用评价3A*信用企业;/ISO三体系认证;

-子公司晶源半导体成立

2024~2026

-与jun*gong和和核工业客户合作取得突破(核反应堆材料的涂层工艺及装备、X 光感受板及光电器件的薄膜生长)

-鹏城微纳子公司扩产

-TGV/TSV/TMV

-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层

-gao*xin*ji*shu企业

13-6-3-2-7-5-0-0-1-7


我们的其他产品
您可能喜欢
 
相关低压产品