霍尔迁移率（Hall mobility）是指Hall系数RH与电导率σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲，故特别称为霍尔迁移率。 表示为μH =│RH│σ。12
霍尔迁移率μH实际上不一定等于载流子的电导迁移率μ，因为载流子的速度分布会影响到电导迁移率，所以只有在简单情况（不考虑速度分布）下才有μH = μ。
霍尔迁移率是测试射频氮化镓芯片使用。“碳化硅的电子迁移率是900，碳化硅MOSFET的沟道迁移率是50，体迁移率是1000” 看到这样的介绍，或许你非常疑惑，为什么同一种材料中有这么多的迁移率？我们在听讲座或者看相关文献的时候，也经常会遇到不同的迁移率：霍尔迁移率，漂移迁移率，沟道迁移率，体迁移率等等。这里，就让我来为大家具体分析一下这些不同的迁移率。大体上来说，迁移率的概念可以分为三种：1. 最基础的迁移率定义（microscopic mobility）; 2. 体材料里的迁移率（根据不同的测试方法得出不同的迁移率名称）； 3. 晶体管中的迁移率。
