霍尔迁移率（Hall mobility）是指霍尔系数RH与电导率σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲，因此特别称为霍尔迁移率，表示为μH =│RH│σ。12
定义和计算方法霍尔迁移率是霍尔系数RH与电导率σ的乘积。在简单情况下，霍尔迁移率μH等于载流子的电导迁移率μ，但在考虑速度分布的情况下，两者可能不相等。只有在不考虑速度分布的情况下，霍尔迁移率才等于电导迁移率。
应用领域霍尔迁移率在电子材料中是一个重要指标，特别是在GaN基HEMT结构材料中。高电子迁移率可以提升器件的工作速度和效率，减少膝点电压，从而使器件在较高频率下工作，具有更高的效率。
在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间
