“方阻霍尔迁移率”这一表述通常指的是在半导体材料电学特性测量中，同时或关联地获取方块电阻（方阻）和霍尔迁移率这两个关键参数。它们是表征材料导电性能的核心指标，常通过霍尔效应测量技术联合获得。
方块电阻（方阻）：是衡量薄膜材料电阻特性的量，单位为欧姆每平方（Ω/sq）。它描述了材料对电流流动的阻碍程度，与材料的几何形状无关，仅取决于材料本身的电阻率和厚度。在透明导电膜、半导体器件等领域至关重要。12
霍尔迁移率：是载流子（电子或空穴）在材料中运动能力的度量，定义为霍尔系数（RH）与电导率（σ）的乘积（μH = |RH|σ），单位为 cm²/V·s。它反映了载流子在电场作用下的平均漂移速度，是评估半导体材料质量（如杂质、缺陷散射影响）的关键参数。34
核心关联与测量方法方阻和霍尔迁移率并非直接等同，但它们通过霍尔效应测量紧密关联：
霍尔效应测量：是获取这两个参数的标准方法。将样品置于磁场中，通以电流，测量垂直于电流和磁场方向的霍尔电压。
参数计算：
通过霍尔电压、电流和磁场强度，可以计算出霍尔系数（RH）。
通过四探针法等测量样品的方阻（Rs）。
利用公式 电导率 σ = 1 / (Rs * t)（其中 t 为材料厚度），可以将方阻转换为电导率。
最终，霍尔迁移率（μH） 可通过公式 μH = RH * σ 计算得出
