是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。
主要应用：
• 量测高纯度硅少子寿命（范围在1ms-5ms）
• 量测掺硼的CZ 单晶硅少子寿命
• 量测多晶硅的少子寿命，陷阱浓度等
其他应用：
• 量测B-O缺陷，铁杂质浓度，以及表面的损伤
• 监控CZ和FZ单晶，多晶硅等硅片质量，高功率红外微波法少子寿命测试是通过光电导衰减、电阻率分析等技术手段，评估半导体材料中非平衡载流子复合速率的检测方法。该方法采用准稳态光电导（QSSPC）、高频光电导衰减（HF-PCD）等独特原理，可灵敏检测硅材料的重金属污染、陷阱效应及表面复合缺陷。
