LDM、UDM为数据掩码信号。写数据时，当DM为高电平时对应的写入数据无效。LDM与UDM分别对应与数据信号的低8位与高8位。
A为地址总线信号。在读写命令时行列地址都由该总线输入。
BA0、BA1为BANK地址信号，用以确定当前的命令操作对哪个BANK有效。
DQ为数据总线信号。读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。
LDQS、UDQS为数据锁存信号，双沿有效。写数据时输入，读数据时输出。写数据时信号沿与数据中心对齐，读数据时信号沿与数据边沿对齐；LDQS与UDQS分别对应与数据信号的低8位与高8位。
VREF为SDRAM内部进高低电平判决的参考电压。
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