半绝缘碳化硅的电阻率范围通常在10⁵—10¹²Ω·cm之间，具体数值取决于材料纯度、掺杂工艺及测量方法。以下是关键信息：
电阻率范围标准范围：10⁵—10¹²Ω·cm（直径50.8—200mm、厚度250—5000μm的半绝缘碳化硅单晶片） 。
实际应用：部分商用半绝缘衬底电阻率稳定控制在10⁸Ω·cm以上 。
杂质控制：高纯度半绝缘型需去除浅能级杂质（如铝、氮），否则电阻率会因杂质电离降低 。
晶体缺陷：PVT法生长时，石墨坩埚释放的杂质可能影响晶体纯度 。
非接触式：针对高电阻率材料，采用涡流法或电容充放电法，传统涡流法因灵敏度不足已不适用 。
电力电子：适用于高温、高电压环境（如电动汽车、逆变器） 。
通信器件：用于5G基站等高频场景，需减小寄生阻抗
电阻率范围为10⁵—10¹²Ω·cm、直径50.8—200mm、厚度250—5000μm的半绝缘碳化硅单晶片的电阻率检测，规定了非接触式测量方法。该方法避免了传统接触式测量中因电极接触导致的样品损伤问题，为碳化硅衬底材料的电阻率分布均匀性评估提供技术依据 [1-2]。随着第三代半导体碳化硅在5G通信、GaN HEMT器件等领域的广泛应用，行业对材料性能检测的统一性需求日益突出。该标准的制定解决了原有测试方法不统一的问题，为研发、生产及应用环节提供了规范化技术支撑
