ETFE Ai芯片封装膜产品介绍
性能特点超长寿命：耐温性强，在180℃下可稳定使用500-800次，是PET膜的10倍、硅胶膜的15倍；对助焊剂、蚀刻液等化学品的耐受性是硅胶膜的5倍以上，在SiP封装中使用寿命达300 次以上，可大幅减少更换频率，降低停机和人工成本。
高稳定性：热收缩率＜0.1%（180℃/2小时），远低于PET膜的2%，能使BGA焊球偏移不良率从5%降至0.3%；表面无硅迁移、无针孔，射频芯片的漏电率可下降至原来的1/10，良率从75%提升至95%；离型力波动±3g/in，扇出封装的RDL短路率从3%降至0.2%。
工艺适配性好：能耐受200-300℃高温，适配3D堆叠的“一步法”键合工艺，可缩短生产周期50%；耐溶剂性好，无需额外清洗工序；可弯曲半径＜5mm，支持柔性基板的“卷对卷”封装，生产效率提升3倍，能满足可穿戴设备芯片的量产需求。
作用原理低应力离型：通过等离子体处理精准调控表面能，配合均匀的硅氧烷离型涂层，使离型力稳定控制在10-25g/in 范围，且波动误差＜±3g/in，确保脱模时芯片受力均匀，避免瞬时应力集中，减少晶圆裂纹和微凸点脱落等问题。
高温惰性：ETFE分子链中的氟碳键稳定性极强，在300℃以下无任何分解产物，挥发物浓度＜0.01ppm，且对封装过程中的化学品具有 “化学惰性”，能避免高温下的挥发物污染和芯片钝化层腐蚀，保障芯片电气性能。
尺寸稳定与表面洁净：热膨胀系数可通过配方调整至30-50ppm/℃，与硅芯片、陶瓷基板的匹配度高，在150℃塑封成型中热收缩率＜0.1%，能确保塑封料尺寸偏差控制在1μm 以内；表面平整度可达纳米级，无针孔、无缺陷，塑封料残留率＜0.01mg/cm²，可提升封装精度和良率。
应用领域芯片封装：在模塑工序中作为离型膜，防止封装材料与模具粘连；覆盖晶圆表面，防止切割、研磨过程中的机械损伤或化学污染；在芯片与引线框架粘接时，覆盖框架表面，防止粘接剂溢出污染焊点。
LED封装：具有高透光性，透光率≥95%，支持精密光学器件封装，提升LED发光效率与寿命；其耐候性可在户外LED显示或照明中抵抗紫外线与恶劣环境，延长产品寿命。
