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如品牌 :SK HYNIX海力士
功率 :标准
型号 :H9DA4GH4JJAMCR-4EM
类型 :其他IC（存储器）
用途 ： 手机
H9DA4GH4JJAMCR-4EM 是 SK Hynix（海力士）生产的一款 多芯片封装（MCP）存储器，集成了 NAND Flash 和移动 DDR 内存，主要应用于智能手机等嵌入式设备。以下是其详细特性：
一、基础规格封装类型
FBGA（细间距球栅阵列）封装，具体为 BGA-137 引脚设计，物理尺寸极小（约 2.3mm × 2.1mm × 1.4mm），适合高密度移动设备12。
部分型号标注为 H9DA4GH4JJAM-CR4EM，指向同一产品线212。
存储组合
4Gb（512MB）NAND Flash：采用 256M×16 位架构，支持 2KB 页面读写和 128KB 块擦除，典型编程时间 250μs，擦除时间 3.5ms34。
4Gb（512MB）移动 DDR 内存：集成 LPDDR2 规格，工作电压 1.7–1.95V，用于高速数据缓冲45。
电压与功耗
核心电压 1.8V（NAND部分），兼容低功耗设计13。
宽电压输入范围（4.5V–8.5V），适应不同供电环境1。
二、核心技术特性性能优化
双平面架构：允许同时编程两页或擦除两个块，提升 40% 编程速度和 50% 擦除效率3。
复制回功能（Copy-Back）：编程失败时可直接重试，无需重新传输数据，优化缺陷管理3。
接口与协议
支持 ONFI 1.0 标准 和传统 NAND 协议，通过 CLE/ALE/CE# 引脚控制命令、地址和数据311。
I/O 接口复用设计减少引脚数量，利于硬件兼容3。
可靠性与保护
每个存储块支持 10 万次编程/擦除周期，需配合 ECC（纠错码）延长寿命3。
内置 WP#（写保护）引脚 和 RB#（状态指示）引脚，防止误操作3。
三、应用场景与兼容性主要应用领域
智能手机字库芯片：常见于魅族等品牌手机，作为主板存储核心67。
嵌入式系统：如 MT6575/MT6515 联发科平台，用于数据存储与运行内存集成8。
主控兼容性
需匹配 BGA-137 封装 主控板，但该封装较特殊，需定制或适配兼容方案（如建荣主控）511。
量产工具支持低格与 ECC 调整，但实际可用容量可能因配置受限5。