6N锑化铟单晶

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锑化铟（InSb）单晶
1，工艺：提拉法生长锑化铟单晶；
2，纯度：6N(99.9999%)
3，检验： GDMS(全元素分析，所有的杂质元素总和低于1ppm)
4，规格：单晶棒，圆片，晶圆；
5，用途：红外探测器件，锑化铟磁阻传感器；
CAS号：1312-41-0
EINECS号：215-192-3
分子式：InSb
分子量：236.578
熔点：535℃
密度：5.76g/cm3
制备：锑和铟的化合物。金属锑和铟在高温熔合而得。具闪锌矿型结构的晶体。
用途：重要半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶, 可制成具有特殊性能的红外探测器件等。
安全性：S61
危险品标志：Xn,N