立式扩散炉

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本设备主要用于LED、光器件、光纤光缆、集成电路、电力电子器件等行业，对3英寸硅片进行扩散、氧化、退火、合金、镀膜等工艺。
外型形式：立式两管结构
2、硅片尺寸：3英寸.
3、自动化程度：工艺过程自动化。
4、送取片方式：手动。
5、搅动方式： 自动，
6、立式（垂直）上下操作方式
7、恒温区长度：250mm
8、炉体内径：Φ125mm
9、温度控制：欧姆龙原装进口控温仪
10、恒温区精度：工作温度范围内，±1℃/250mm
11、单点温度稳定性、重复性：工作温度范围内，±1℃/24h
12、工作温度范围：140ºC-250 ºC
13、控制系统：每管对应一个触摸屏，一台工控机集中管理两个炉管
15、 恒温区温度技术条件（闭管静态测试）：
1、工作温度范围: 140～400 ℃。
2、长期工作温度: 250℃
3、恒温区长度及精度: 200～400 ℃： 250mm/±1℃
4、单点温度稳定性: 200～400 ℃： 250mm/±1℃/24h
5、单点温度重复性: ≤1℃
6 、具有恒温区温度可编程自动实时修正（自动拉温区）。
16、升降温的控制曲线斜率:
1、升温方式： 随炉升温。
2、升温速率范围： 0～400℃： 0.1～10℃/min 可控可设定编程。
最大升温速率： 10℃/min。
3、降温速率范围： 400～200℃： 0.1～2℃/min 可控可设定编程。
最小降温速率； 0.1℃/min。
4、管间影响： ≤0.5℃。