内存 闪存 SST39VF800A-70-4C-EK

SST39VF800A-70-4C-EKE 内存 闪存
[产品名称]：SST39VF800A-70-4C-EKE
[产品厂家]：SST
[产品批号]：2011+（环保 无铅）
[产品封装]：TSOP-48
[产品包装]：960/PCS
产品说明:SST39LF200A / 400A / 800A的和SST39VF200A / 400A /设备是128K 800A 512K班期/ 256K,班期班期/ CMOS多用途闪光(强积金)采用海温的亲prietary、高性能CMOS SuperFlash技术。设计和厚的split-gate细胞氧化穿隧喷油器达到更好的可靠性和可加工性相比交替的方法。SST39LF200A / 400A / 800A的程序或抹去写(),有3.0-3.6V电源。这SST39VF200A / 400A / 800A写(或擦除)程序2.7-3.6V电源。这些设备符合信号为标准,班期梢出回忆。以高,性能Word-Program SST39LF200A 800A和SST39VF200A / 400A / / 400A /一个典型的Word-Program 800A器件时间为14µsec。这些设备使用触发器位或数据#民调发现这个项目的完成或擦除操作。正面—tect攻击不慎写,他们有片上的硬件和软件数据保护方案。设计,马努-factured,并测试了广泛的应用,这些装置提供了一个有保障的耐力10,000次。数据保留值价大于100年。SST39LF200A / 400A / 800A的和SST39VF200A / 400A /设备都适合应用800A需要方便-nient更新程序、经济、配置,或数据的记忆。为所有系统的应用,它们占据-cantly改善系统性能和可靠性,同时降低功率消耗。他们使用更少的能源方面他给了你留有余地固有-ing擦除和程序比其它的flash技术。编程的时候,一个闪光装置的总能量欺诈-总结是所加电压的函数,电流,申请表内。因为对于任意给定的电压范围,采用了SuperFlash技术将使用更少的当前程序和有较短的抹去的时候,总能耗的期间任何删除、程序运行不到替代flash技术。这些设备还可以改善灵活性对于程序,同时也能降低成本,数据和配置 存储的应用。 SuperFlash技术提供了消除和专业人士——固定克次,的数量无关,消除/计划作为一个周期,还是发生了。因此,系统软件或硬件不需要修改或de-rated闪光的必要和替代技术,其抹去倍的增加和程序与积累消除/ Pro -克周期。以满足表面贴装的要求,SST39LF200A /SST39VF200A 400A / 800A / 400A / 800A和提供两48-lead TSOP TFBGA包裹和48-ball包