BSM150GB120DN2
技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 150
• Vce(sat),Max(V) 3.7
• Ton(us) 0.4
• Toff(us) 0.8
• Rth(j-c),K/W 0.1
• Pc(W) 1250
• 封装 62mm
• 电路结构 半桥
性能概要:
• 半桥
• 包括快速续流二极管
• 用绝缘金属基板包装