低电压升压大电流芯片 外置MOS驱动升压IC

发布日期 :2015-04-17 10:52 编号:2684675 发布IP:14.20.126.82
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在许多应用场合,都需要将低电压升至适合用电设备使用的较高电压。如太阳能电池供电电路,常需要将其2.2~5.0V的低电压升至可供使用的12V,甚至更高的电压。再如3.7V锂电池升压到5V给便携设备供应较大电流,必须将这么低的电压升至可供使用的5V、12V或24V等标准电压,而一般小轿车轿车为12V蓄(电池亏电和充满电电压范围在10.5V~14.5V)之间,这样低的电压无法使19V供电笔记本正常工作。而且要求DC/DC变换器的输出功率在几十W以上。因而有必要开发出一种低电压、大电流DC/DC升压变换器。
中广芯源-就开发了一款利用高效开关器件MOSFET及高性能IC控制器,其框图如图1示。

GS3660应用的典型电路,芯片的输入范围为2.2~15V,该控制器采用独特的控制方案,PWM(脉冲宽度调制)的优越性,提供一个高效、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流,在重载情况下具有较高的效率,噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波,这样便于降低电路成本及电路的尺寸。该电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出,宽电压供电2.2V-15V,宽工作频率50KHZ-1MHZ振荡频率,具有欠压保护功能、软启动及短路保护功能。使电路工作更稳定!

中广芯源推出GS3660升压芯片,该控制器采用独特的控制方案,PWM(脉冲宽度调制)的优越性,提供一个高效、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流,在重载情况下具有较高的效率,噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波,这样便于降低电路成本及电路的尺寸。该电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压,宽电压供电2.2V-15V,宽工作频率50KHZ-1MHZ振荡频率,具有欠压保护功能、软启动及短路保护功能。使电路工作更稳定!
GS3660采用工业标准的TSSOP-8的小体积封装,大大节省了PCB空间。现已大批量供货!

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