QHS105 TMR双极锁存磁传感器

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S105 是一款为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存磁传感器，集成了TMR 和CMOS 技术。S105 采用高精度推挽半桥TMR 磁传感器和CMOS 集成电路，包括TMR 电压发生器，比较器，施密特触发器和CMOS 输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压x 信号输出。通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。S105 低电压工作、消耗电流低、响应频率高，微安级的电流消耗成为众多低功耗应用的理想选择。(可完全替代韦根及微功耗霍尔）
产品特性 典型应用
磁隧道结 (TMR) 技术 三表（水表，气表，热量表）
双极锁存传感器 流 量 计
磁场灵敏度：Bop=5.0mT 速度测量
工作电流：6uA@3V 电机旋转位置
工作电压：1.8V~5.5V 线性位移测量
响应频率：10 kHz
ESD 性能：>4kV