力特硅雪崩二极管

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上海布尔特电子科技有限公司
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发布日期
2011-03-09 16:28
编号
212726
发布IP
116.231.97.120
区域
上海电子元件成型机
地址
上海市浦东新区张江高科园区达尔文路88号
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详细介绍
littelfuse硅雪崩二极管1.5KE100
KEY - zh
VSO 逆向支座电压 最高工作电压。
伏交流 交流工作电压
VR (V) 逆向支座电压 在单向瞬变电压二极管抑制器中,这是可在“闭锁方向”中应用而不会引起电流流量的最大峰值电压。在双向瞬变中,可用于任一方向。这是与适用于最大关闭状态电压和最大工作电压相同的定义。
VBR MIN (V) 在 IT 下的击穿电压 在指定的直流测试电流,通常为 1 毫安时测得的击穿电压。通常指定最小和最大值。
VBR MAX (V) 在 IT 下的击穿电压 在指定的直流测试电流,通常是 1 毫安下测量获得的击穿电压。通常指定最小和最大值。
IT (mA) 测试电流
VCL @ IPP (μA) 钳位电压 这是在 IPP 测量时通过二极管的峰值电压。
IPP 10x1000(A) 峰值脉冲电流 可重复应用的最大脉冲电流。通常 10x1000μs 双倍组件波形,但是如果指定,还可以为 8x20μs。
IPP 8x20 (A) 峰值脉冲电流 可重复应用的最大脉冲电流 (8x20μs)。
C 典型 (pF) 最大电容值 在 1 MHz (0 Bias 10kHz) 下输入插脚和通用端口之间测量获得。
VWIB (V) 工作逆向闭锁电压
IIB @ VWIB (μA) 逆向闭锁泻放电流 在 VWIB 时测得。
VPIB (V) 峰值逆向闭锁电压
VZ MIN (V) 在 IZ最小齐纳电压
VZ MAX (V) 在 IZ最大齐纳电压
IZ (A) 齐纳电流


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