场效应管 NCE8089

场效应管NCE8098描述
NCE8098是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,旨在有更好的特性,如快速开关时间,低门充电,低状态电阻。该MOSFET有着广泛的应用，可完全代替STP85NF55。
特点
VDS=85V；ID=80A；
高散热能力；高洁温下，大电流持续导通能力;
低导通电阻，低栅极电荷;
电参数高度一致性和重复性
拥有高ESD能力;
高EAS能力;
详细描述
产品基本信息
BVDSS (V) Vth (V) Vgs(V) Ron(10V) (mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ)
N/P
电压
名称
封装 ID(A) PW (W)25℃ 最小 典型 最小 典型 最大 典型 最大 典型 最大 典型 最大
N-80V NCE8098 TO-220 98 200 85 88 2 2.85 4 ±20 6.8 8.0