MOS管IC

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龙腾科技(股份)有限公司/深圳龙腾微电子有限公司成立于2000年5月，位于深圳市南山区，依托台湾集成电路产业园设计和开发各种集成电路( IC ),主要应用于家电、自动芳香机，自动感应皂液机，自动感应干手机，USB雾化器，12v雾化器，多媒体音响，便携式音箱，机顶盒DVB、电磁炉、鼠标、键盘、MP3、数码相框、遥控器、报警器、定时控制、太阳能产品、医疗健身器材、礼品赠品、手表、电子卡片、电子益智读物、教学玩具、电子琴、电子语音盒、玩具枪、玩具飞机、闪光棒、胸章、鞋灯、闪光吊饰、LED电子蜡烛、童车等产品， 我们为客户以最低的价格提供高质量的产品。我公司长期备有大量现货。公司以品种多,型号全,质量好,价格低,电子元器件专业性配套完善闻名于深圳,深得广大客户和知名厂商的青睐。
Electrical Characteristics
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS = 0V, ID = 250uA 20 -- -- V
Drain-Source On-Stage Resistance RDS(on) VGS = 4.5V, ID = 2.8A -- 40.0 60.0 mΩ
Drain-Source On-Stage Resistance RDS(on) VGS = 2.5V, ID = 2.0A -- 50.0 115.0
Drain-Source On-Stage Resistance RDS(on) VGS = 1.8V, ID = 2.0A -- 80.0 130.0
Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = 250uA 0.6 -- 1.2 V
Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS = 20V, VGS = 0V -- -- 1 uA
Gate Body Leakage IGSS VGS = ±8V, IDS=0uA -- -- ±100 nA
Dynamic3)
Total Gate Charge Qg VDS = 10V, ID = 3.6A
VGS = 4.5V -- 4.5 5.85 nC
Gate-Source Charge Qgs -- 0.83 1.08
Gate-Drain Charge Qgd -- 1.18 1.53
Turn-On Delay Time td(on) VDD = 15V, RL = 5.5Ω
ID = 1A, VGEN = 4.5V
RG = 6Ω -- 11.24 22.48 ns
Turn-On Rise Time tr -- 3.48 6.96
Turn-Off Delay Time td(off) -- 19.64 39.28
Turn-Off Fall Time tf -- 4.4 8.8
Input Capacitance Ciss VDS = 10V, VGS = 0V
f=1.0MHz -- 456.41 -- pF
Output Capacitance Coss -- 86.81 --
Reverse Transfer Capacitance Crss -- 58.89 --
Source-Drain Diode
Max. Diode Forward Current IS -- -- -- 1.6 A
Diode Forward Voltage VSD IS = 1.6A, VGS = 0V -- -- 1.2 V
Note: Pulse test: pulse width