POWER SONIC蓄电池PS-122500 12V260AH机房UPS不间断电源

发布日期 :2023-12-20 02:43 编号:13001355 发布IP:27.223.117.175
供货厂家
德尔森电源青岛有限公司  
品牌
POWER SONIC
型号
PS-122500
规格
12V260AH
报价
400.00元/只
联系人
张胜(先生)销售
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区域
青岛电池
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POWER SONIC蓄电池PS-122500 12V260AH机房UPS不间断电源

结构特点

◎ 高强度ABS塑料电池槽、盖,结构紧凑,具有耐冲击,抗震动性能好的特点。
◎ 特种铅基多元合金板栅,内阻小,性好,充电接受能力强。
◎ 极板制造工艺,活性物质利用率高。
◎ 超细玻璃纤维隔板,大电流放电性能好。
◎ 高纯度电解液和特殊添加剂,自放电小。

全部采用高纯原材料,电池自放电极小
采用气体再化和技术,电池具有极高的密封反应效率 无酸雾析出 安全环保 无污染
采用高可靠的密封技术 确保电池具有的密封性能!

电池是一个电子存储设备。电池不发电,他们存储它。电池的化学变化,电能存储或释放。

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◆电池槽、盖为ABS材料,并采用环氧树脂封合,确保无泄露。

◆极柱采用纯铅材质,性能好,极柱与电池盖采用压环结构即压环与密封胶圈将电池极柱实现机械密封,再用树脂封合剂粘合,确保了其密封可靠性。

1.光生电场除了有些抵消势垒电场的效果外,还使P区带正电,N区带负电,在N区和P区之间的薄层就发生电动势,这就是光生伏打效应。当电池接上一负载后,光电流就从P区经负载流至N区,负载中即得到功率输出。
2.若是将P-N结两头开路,能够测得这个电动势,称之为开路电压Uoc。对晶体硅电池来说,开路电压的典型值为0.5~0.6V。

3.若是将外电路短路,则外电路中就有与入射光能量成正比的光电流流过,这个电流称为短路电流Isc。
影响光电流的要素:

1.经过光照在界面层发生的电子-空穴对愈多,电流愈大。

2.界面层吸收的光能愈多,界面层即电池面积愈大,在太阳电池中构成的电流也愈大。

3.太阳能电池的N区、耗尽区和P区均能发生光生载流子;

4.各区中的光生载流子有必要在复合之前跳过耗尽区,才干对光电流有贡献,所以求解实践的光生电流有必要考虑到各区中的发生和复合、分散和漂移等各种要素。

太阳能电池等效电路、输出功率和填充因数

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⑴ 等效电路

为了描绘电池的作业状况,往往将电池及负载体系用一个等效电路来模仿。

1.恒流源: 在稳定光照下,一个处于作业状况的太阳电池,其光电流不随作业状况而改变,在等效电路中可把它看做是恒流源。

2.暗电流Ibk : 光电流一有些流经负载RL,在负载两头建立起端电压U,反过来,它又正向偏置于PN结,导致一股与光电流方向相反的暗电流Ibk。

3.这样,一个抱负的PN同质结太阳能电池的等效电路就被绘制成如图所示。

4.串联电阻RS:因为前面和反面的电极触摸,以及资料自身具有必定的电阻率,基区和顶层都不可防止地要引进附加电阻。流经负载的电流经过它们时,必定导致损耗。在等效电路中,可将它们的总效果用一个串联电阻RS来表明。

5.并联电阻RSh:因为电池边缘的漏电和制作金属化电极时在微裂纹、划痕等处构成的金属桥漏电等,使一有些本应经过负载的电流短路,这种效果的巨细可用一个并联电阻RSh来等效。

当流进负载RL的电流为I,负载RL的端电压为U时,可得:

式中的P就是太阳能电池被照耀时在负载RL上得到的输出功率。

⑵ 输出功率

当负载RL从0变到无穷大时,输出电压U则从0变到U0C,一起输出电流便从ISC变到0,由此即可画出太阳能电池的负载特性曲线。曲线上的任一点都称为作业点,作业点和原点的连线称为负载线,负载线的斜率的倒数即等于RL,与作业点对应的横、纵坐标即为作业电压和作业电流。

调理负载电阻RL到某一值Rm时,在曲线上得到一点M,对应的作业电流Im和作业电压Um之积大,即: Pm=ImUm

通常称M点为该太阳能电池的佳作业点(或称大功率点),Im为佳作业电流,Um为佳作业电压,Rm为佳负载电阻,Pm为大输出功率。

⑶ 填充因数

1.大输出功率与(Uoc×Isc)之比称为填充因数(FF),这是用以衡量太阳能电池输出特性好坏的重要目标之一。

2.填充因数表征太阳能电池的好坏,在必定光谱辐照度下,FF愈大,曲线愈“方”,输出功率也愈高。

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能带理论:

1、单个原子中的电子在绕核运动时,在各个轨迹上的电子都各自具有特定的能量;

2、越接近核的轨迹,电子能量越低;

3、依据能量小原理电子总是优先占有低能级;

4、价电子所占有的能带称为价带;

5、价带的上面有一个禁带,禁带中不存在为电子所占有的能级;

6、禁带之上则为导带,导带中的能级就是价电子挣脱共价键捆绑而成为自由电子所能占有的能级;

7、禁带宽度用Eg表明,其值与半导体的资料及其所在的温度等要素有关。T=300K时,硅的Eg=1.1eV;锗的Eg=0.72eV。


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