DQS测试 DDR3 上电时序测试 电源纹波测试

发布日期 :2023-12-15 15:31 编号:12851489 发布IP:117.61.24.210
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所以1个BANK可以分成65536行,每行1024列,每个存储单元16bit。

每行可以存储1024*16bit=2048bit=2KB。每行的存储的容量,称为Page Size。

单个BANK共65536行,所以每个BANK存储容量为65536*2KB=128MB。

单个BANK GROUP共4个BANK,每个BANK GROUP存储容量为512MB。

单个DDR4芯片有2个BANK GROUP,故单个DDR4芯片的存储容量为1024MB=1GB。

至此,20根地址线和16根数据线全部分配完成,我们用正向设计的思维方式,为大家讲解了DDR4的存储原理以及接口定义和寻址方式。

但是细心的同学发现一个问题,对于每一个bank,按照正常的10位数据,那么col应该是1024,而现在是128,是什么原因呢?

那么问题又来了,为什么Column Address的寻址能力只有128呢?请继续看下图

在上图中,可以清晰地发现,10bits的Column Address只有7bits用于列地址译码!列地址0,1,2并没有用!!!列地址0,1,2,这3bits被用于什么功能了?或者是DDR的设计者脑残,故意浪费了这三个bits?在JESD79-3规范中有如下的这个表格:

3777678124.jpg


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