NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在存储单元(memory cell)，一般来说，一个单元中只能存储一个bit。这些单元以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成页(page)，以所用的samsumg的256M x 8 Bit K9F2G08R0A芯片为例：每页2112Bytes(2kbyte(Main Area)+64byte(Spare Area))，空闲区通常被用于ECC、耗损均衡(wear leveling)和其它软件开销功能，尽管它在物理上与其它页并没有区别。每64个页形成一个块(block 128kB)。具体一片flash上有多少个块视需要所定。
NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：
Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文为列地址，地址的低8位
Page Address ：页地址
Block Address ：块地址
对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。
北京淼森波信息技术有限公司，是一家技术服务型公司，即为科研院校及企事业单位，中小型企业，初创企业提供硬件开发配套服务和硬件检测服务。主要提供开放实验室，产品代测服务并出测试报告。公司可通过眼图测试，抖动测试，时序测试，电源纹波测试等等一系列测试详细分析NAND Flash器件有关性能。
