单晶硅，多晶硅靶

单晶硅，多晶硅
元素符号：Si
原子量：28.0855
熔点：1410℃
沸点：2355℃
密度：2.34g/cm3
折射率：3.42
电阻率/μΩ.cm：500
线膨胀系数/℃-1：3.0×10-6
蒸发温度：饱和蒸汽压1.33Pa时1350℃
蒸发源材料：Be、ZrO2、ThO2、C(坩埚)
主要用途：主要用于制造整流器、二极管、晶体管、光电池、太阳能电池、原子能电池、红外线探测器、以及电子致冷等半导体器件。