【产品概述】
越昌科技碳化硅激光剥离机是面向第三代半导体碳化硅（SiC）器件制造的精密工艺设备。设备利用特定波长激光透过衬底照射界面，实现碳化硅外延层与基底的无损剥离，具备剥离精度高、热影响区小、单片良率稳定、工艺可控性强等特点，有效解决碳化硅晶圆减薄、膜层分离难题。
【典型应用场景】
功率半导体制造：是 SiC MOSFET、SiC 二极管生产的关键工艺装备。其加工的碳化硅功率芯片大量应用于新能源汽车主逆变器、光伏逆变器、储能变流器。激光剥离工艺可完成外延薄膜从临时衬底剥离，实现超薄碳化硅芯片制备，保障器件导通损耗低、散热性能优异。
射频半导体行业：设备可完成大尺寸外延膜层转移，降低器件衬底寄生效应，提升射频芯片高频性能，满足通信基站、雷达、卫星载荷等射频器件的制造需求。
光电子与微纳器件：用于碳化硅基光探测器、量子光学芯片、微型激光器的膜层剥离加工。非接触式激光加工不会损伤精细外延结构，可实现薄膜精准转移，支撑光电芯片、微纳光子器件研发与小批量试制。
科研院所与芯片研发：设备支持小尺寸样品快速工艺验证，适配新材料、新结构碳化硅器件研发打样。
【工艺特点】
相比传统剥离方案，激光剥离工艺无需复杂的化学腐蚀，洁净度高，工艺参数可调，大幅缩短了第三代半导体器件研发周期。设备可根据客户晶圆尺寸、膜层厚度、产线洁净环境做定制化适配，提供稳定的激光剥离工艺方案，助力国内第三代半导体产业国产化进程。欢迎联系我们获取详细技术资料。
