【产品概述】
在半导体先进制程中，等离子体刻蚀器腔壁长期暴露于高能等离子体与强腐蚀性气体（如含氟、含体）中，极易发生腐蚀并产生颗粒污染，直接威胁晶圆良率。我司采用先进的大气等离子喷涂（APS）及高致密等离子喷涂（HDPS）工艺，在铝合金等金属腔壁表面制备高纯氧化钇（Y₂O₃）陶瓷涂层，为刻蚀设备提供的防护屏障。
【核心技术优势】
的耐等离子体侵蚀性：氧化钇涂层在强腐蚀性等离子体中反应速率极低，且表面易形成致密钝化层，大幅减缓后续腐蚀，有效延长腔体大修周期（从数周延长至数月）。
超低颗粒释放率：高纯氧化钇涂层结合力强、孔隙率极低（完美隔离金属污染：致密的陶瓷涂层将铝合金基体与工艺环境完全隔离，杜绝了铝原子扩散至反应腔内造成的致命金属污染。
【应用场景】
等离子体刻蚀器（Etcher）腔体内壁、气体分布环、汽环等关键结构件的耐蚀防护。
【技术参数参考】
涂层材料：高纯氧化钇（Y₂O₃，纯度≥99.99%）
涂层厚度：100μm - 300μm（可定制）
孔隙率：< 1% - 5%（依工艺而定）
结合强度：≥ 30 MPa