MBI6662为高效率恒流降压型DC/DC转换器驱动芯片，其适用于驱动高功率LED，并采用磁滞宽带可调之定频控制技术及提供共阳极连接方案。
MBI6662输出电流可透过外部电阻进行设定，且可在DIM脚连接脉宽调变(PWM)讯号进行调光控制。另外，启动过流保护装置(Start-Up)功能可限制芯片因电源启动时所产生的突波电流，同时MBI6662 还提供欠电压锁定保护(UVLO)、过温保护(OTP)及过电流保护功能(OCP)，以避免芯片在不正常运作的情况下损毁。.
为确保系统稳定性，MBI6662还提供过热断电保护功能(TSD)，在过热的条件下，藉由关断内建MOSFET，以达到保护芯片的目的。MBI6662目前提供散热性佳的DFN-10和SOP-10两种封装。
应用
? 舞台灯
? 高功率LED洗墙灯
? 车用LED照明
? 灯源采共阳极并联架构之灯具
MBI6662为高效率恒流降压型DC/DC转换器驱动芯片，其适用于驱动高功率LED，并采用磁滞宽带可调之定频控制技术及提供共阳极连接方案。
MBI6662输出电流可透过外部电阻进行设定，且可在DIM脚连接脉宽调变(PWM)讯号进行调光控制。另外，启动过流保护装置(Start-Up)功能可限制芯片因电源启动时所产生的突波电流，同时MBI6662 还提供欠电压锁定保护(UVLO)、过温保护(OTP)及过电流保护功能(OCP)，以避免芯片在不正常运作的情况下损毁。.
为确保系统稳定性，MBI6662还提供过热断电保护功能(TSD)，在过热的条件下，藉由关断内建MOSFET，以达到保护芯片的目的。MBI6662目前提供散热性佳的DFN-10和SOP-10两种封装。
应用
? ? ? ?
舞台灯
高功率LED洗墙灯 车用LED照明
灯源采共阳极并联架构之灯具
?Macroblock, Inc. 2014
Floor 6-4, No.18, Pu-Ting Rd., Hsinchu, Taiwan 30077, ROC.
MBI6662 60V/2A, 共阳极降压型LED驱动芯片
脚位图
图 1 MBI6662脚位图
MBI6662GDF
MBI6662GD
脚位说明
脚位名称
LX CSN VIN DIM VCC FS COMP GND GNDP CSP
功能
内建MOSFET汲极端 侦测萧特基二极管电流端 电源电压端
PWM 调光讯号输入端 内部调节器输出端 设定切换频率端 补偿器端
仿真讯号接地端 电源讯号接地端 电流侦测电阻端
*为了减少噪声干扰，建议将散热片与PCB上的GND连接。此外，PCB上作为热传导用途的铜导线上焊接散热片，热传导功能将可改善。
MBI6662 60V/2A, 共阳极降压型LED驱动芯片
应用电路图
VIN
图2 MBI6662应用电路示意图
功能方块图
图3 MBI6662功能方块图
MBI6662 60V/2A, 共阳极降压型LED驱动芯片
最大限定范围
超过最大限定范围内工作，将会损害芯片运作。操作在建议电压至最大限定范围时会降低其稳定度。
特性
电源电压
DIM脚位的耐受电压 LX 脚位的耐受电压 CSN 脚位的耐受电压 CSP 脚位的耐受电压 VCC 脚位的耐受电压 COMP 脚位的耐受电压 FS 脚位的耐受电压
消耗功率
(在四层印刷电路板上，Ta=25°C)* 热阻值
(在四层印刷电路板上仿真时)* 消耗功率
(在四层印刷电路板上，Ta=25°C)* 热阻值
(在四层印刷电路板上仿真时)* 接面温度
芯片工作时的环境温度 芯片储存时的环境温度
代表符号
最大工作范围
单位
VINVDIMVLXVCSNVCSPVCCVCOMPVFSPDGDF Type
Rth(j-a)PDGD Type
Rth(j-a)Tj,maxToprTstg*模拟时，PCB尺寸为76.2mm*114.3mm。参考JEDEC JESD51标准。
**此为最大限定范围值，并非芯片工作时温度，越接近此最大范围值操作，芯片的寿命越短、可靠度越低；超过此最大限定范围工作时，将会影响芯片运作并造成毁损，因此建议的芯片工作温度(Topr)在125°C以内。
注：散热表现是与散热片面积、PCB层数与厚度相关。实测热阻值会与模拟值有所不同。使用者应根据所欲达到的散热表现，选择合适的封装与PCB布局，以增加散热能力。
MBI6662 60V/2A, 共阳极降压型LED驱动芯片
电气特性
测量条件为VIN=12V、VOUT=3.6V、L1=68μH、CIN=COUT=10μF、CVCC=1μF、TA=25°C；除非其它条件定义。
特性
直流特性 电源电压 供应电流 输出端电流 输出端电流度 MOSFET 导通电阻 MOSFET 漏电流 效率 切换特性 LX上升时间 LX下降时间 占空比建议值 操作频率 电流侦测 侦测电压平均值 低边磁滞电压 高边磁滞电压 CSP 传送延迟时间 CSN 传送延迟时间 高边讯号前缘遮蔽时间 低边讯号前缘遮蔽时间 过热保护(TSD) 过热保护关闭值* 过热保护关闭之磁滞范围 (Hysteresis)* 欠电压锁定 (UVLO) 欠电压锁定电压 启动电压
过电流保护 (OCP) 过电流保护关闭值* PWM 调光 PWM 占空比范围 PWM 讯号高准位 PWM 讯号低准位 调节器 调节器电压
VCC VCC DDIM
PWM 频率：0.1kHz~1kHz
TSDTSD-HYSVCSVCSP VIN-VCSN TPPD TNPD
正常平均电流侦测下 正常平均电流侦测下 LX 至 VIN LX 至 GND
TR_LXTF_LXDLXFSW
ns ns VINIDD IOUT
请参阅第19页derating信息
-
±2
±5
%
代表符号
测量条件
最小值 一般值
最大值
单位
VIN=4.5V~60V, F=SWdIOUT/IOUT≤IOUT≤2A
IOUT? RDS,ON
IN=36V, IOUT=2A, 10LEDs
-
95
-
%
ILEAK VLXμA
MHz
TLEB_HTLEB_LVUVLO TAVSTUPVIH_DIM VINVIL_DIM VINV=IN=4.5V,ILOADVIN=6V~60V, I=LOAD*参数在生产过程中未经测试，为设计值。
