产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
制造商: | NXP |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 68 V |
技术: | Si |
工作温度: | + 150 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-270 EP |
封装: | Reel |
商标: | NXP / Freescale |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 2.08 mm |
长度: | 9.7 mm |
***小工作温度: | - 65 C |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 0.5 V, 12 V |
宽度: | 5.97 mm |
单位重量: | 548 mg |