金刚石&氮化镓的结合，被认为是支撑未来高功率射频和微波通信、宇航和系统以及5G和6G移动通信网络和更复杂的雷达系统的核心技术。
金刚石和氮化镓结合有三种方式：
1.Diamond on GaN：在GaN HEMT结构上生长金刚石
2.GaN on Diamond：在金刚石衬底上直接外延生长GaN结构
3.GaN/金刚石键合：GaN HEMT制备完成后，转移键合到金刚石衬底上
化合积电为我国率先开展GaN&Diamond研究的企业，在GaN&Diamond三种结合方案中，均取得成功。现有GaN on Diamond、Diamond on GaN以及GaN&Diamond键合所需金刚石热沉片，已达国际先进水平。化合积电现有金刚石热沉片和晶圆级金刚石产品技术指标达到的水平，晶圆级金刚石生长面表面粗糙度Ra＜1nm，金刚石热沉片的热导率达1000-2000W/m.K。