6MBI75U4B-120富士

富士6MBI75U4B-120

   富士6MBI75U4B-120 IGBT模块的综合性能是非常优越的，决非其它功率器件所能替代的，因此成为当今逆变电路DC/AC中主要器件，亦是理应所在的。富士6MBI75U4B-120 IGBT模块是一种复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压型控制，输入阻抗大、驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率较高，元件容量大。它不仅达到了晶闸管不能达到的频率（60kHz以上），而且正在逐步取代快速晶闸管。国外1kHz～80kHz的感应加热已广泛应用，这是感应加热电源的发展方向。

  产品： 富士 IGBT模块

  品牌/型号：FUJI/富士通/6MBI75U4B-120

  集电极-发射极电压：1200V

  栅极 - 发射极电压:+/_20V

  25℃时的集电极电流：100A

  耗散功率：390W

  零栅极电压集电极电流：Vge=0V,Vce=600V时 1mA

  25℃时集电极 - 发射极饱和电压：2.35V

  产品报价和资料：请联系咨询和索取

  IGBT是变频器的关键零部件。IGBT是3kV及以上高压变频器的重要零部件，单台高压变频器中IGBT占成本4%~15%。3kV以下中低压变频器方面，根据深圳英威腾资料显示，IGBT占总成本26% 左右。目前中国电机配备变频器不足10%，尚处于粗放式用电的阶段，市场潜力巨大。变频器还广泛应用于造纸、机床、冶金等领域，对IGBT部件的需求广泛。提供真正高质量的正弦波电源。

 

  ①IGBT兼具有功率MOSFET和GTR的优点，是UPS中的充电、旁路开关、逆变器，整流器等功率变换的理想器件。

 

  ②只有合理运用IGBT，并采取有效的保护方案，才可能提高IGBT在变频器中的可靠性。