FF450R12IE4 三菱IGBT 英飞凌IGBT模块 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito.com
英飞凌FF450R12IE4
产品用途和特性
英飞凌FF450R12IE4 IGBT模块是一种功率晶体，运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能，使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。通过对IGBT的开通和关断的控制，可以轻松的实现逆变过程和变频控制。英飞凌FF450R12IE4 IGBT主要应用于逆变焊机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
描述：IGBT 模块 N-CH 1.2KV 450A
| 产品： | IGBT Silicon Modules |
| 品牌和型号 | 英飞凌FF450R12IE4 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 450 A |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 封装 / 箱体： | PRIME2 |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Screw |
| 工厂包装数量： | 3 |
在栅极“G”上加上一个高于射极“E”的电压，那么集电极“C”和射极“E”之间变成低阻导通状态。如果栅极“G”的电压小于或等于射极“E”的电压，那么集电极“C”和射极“E”之间呈现高阻截止状态。
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