6MBP150RA060 FUJI

发布日期 :2018-07-09 15:18 编号:3923000 发布IP:14.154.16.170
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深圳市亨力拓电子有限公司  
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FUJI
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6MBP150RA060 FUJI
三菱IGBT 英飞凌IGBT模块 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito.com

 


6MBP150RA060实物图
产品作用和描述
 6MBP150RA060是日本富士电机下的平面穿通型第3代IGBT模块、IPM模块,广泛应用于电机应用、逆变器应用、不间断电源应用等多个领域。 6MBP150RA060作为大功率开关,推荐应用工作频率20kHZ的场合。
  6MBP150RA060产品特色
  通过直接检测连接处温度保护
  低功耗和软开关
  高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
  因为大减少零部件的数量在更高的可靠性内置的控制电路
 
  6MBP150RA060工作参数:
 Vces=600V, Ic=150A, Icf=300A,Pc=595W,Vcc=0~20V,Vce(sat)=2.8V,Vf=3V,Vuv=11V,开关频率(MAX)=20kHZ,质量M=440g
 
 6MBP150RA060等效电路图
6MBP150RA060等效电路图
 6MBP150RA060 外观尺寸和封装结构图
 6MBP150RA060 外观尺寸和封装结构图
 6MBP150RA060在变频器里的工作原理
   首先,逆变器的作用是将交流电变为直流电,然后用电子元件对直流电进行开关,变为交流电。工作过程一般分为整流电路、平波电路、控制电路、逆变电路四大过程。一个集成后的IGBT模块有很多种,比如六合一的6MBP150RA060 IPM模块,里面会有IGBT芯片、整流二极管芯片和快速恢复二极管芯片,然后有半桥也有全桥。通过IGBT模块,电流从交流变为直流,然后再通过IGBT的开关作用从直流变为交流,实现频率的变化。
  开关与关断原理
  若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。


 

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