SKM195GB066D西门康IGBT

发布日期 :2016-10-06 18:33 编号:3920646 发布IP:14.154.16.170
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深圳市亨力拓电子有限公司  
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西门康
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SKM195GB066D SKM195GAL066D西门康IGBT

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赛米控SKM195GB066D和SKM195GAL066D产品描述
     赛米控SKM195GB066D是采用MOS技术的两单元半桥模块,其基本参数:195A/600V,沟道式NPT型IGBT;赛米控SKM195GAL066D是采用MOS技术的斩波结构的IGBT模块,其基本参数:195A/600V,沟道式NPT型IGBT。两款IGBT模块深圳德意志工业有限公司都有库存现货。
    赛米控两款典型的沟道IGBT模块,SKM195GB066D和SKM195GAL066D通过消除IGBT固有的关断拖尾电流特性,大大提高了开关能效与最大开关频率。SKM195GB066D和SKM195GAL066D的裸片非常薄,这有助于提高开关和散热性能。优化的沟栅式(trench-gate)场截止型(field-stop)工艺降低了热阻,最高结温高达175°C,同时实现了对饱和电压等参数的严格控制,允许多个IGBT安全并联,提高电流密度和通态能效。 SKM195GB066D和SKM195GAL066D结构和特性都很非常稳定,具有很高的Dv/dt耐压能力。与IGBT封装在一起的超高速软恢复(soft-recovery)二极管可最大限度降低导通能耗。
  SKM195GB066D和SKM195GAL066D在电力换流和电力传动领域(变频器 AFE SVG 中频感应熔炼炉电源 超大功率逆变)运用十分广泛!
 赛米控 SKM195GB066D和SKM195GAL066D 外形封装尺寸和结构图
 赛米控 SKM195GB066D和SKM195GAL066D 外形封装尺寸和结构图
 赛米控SKM195GB066D等效电路图
赛米控SKM195GB066D等效电路图
 赛米控SKM195GAL066D等效电路图
赛米控SKM195GAL066D等效电路图
  SKM195GB066D和SKM195GAL066D的并联与均流
  目前,国外单管IGBT的最大容量为2000A/2500V,实际的商品器件容量为1200A/2400V,根据大功率斩波的需要,通常,额定工作电流为400A——1500A,考虑到器件工作安全,必须留有2倍左右的电流裕度,再结合本文前述的IGBT最大电流标称问题,单一器件无法满足要求,必须采用器件并联。半导体器件并联存在的均流问题是影响可靠性的关键,由于受离散性的限制,并联器件的参数不可能完全一致,于是导致并联器件的电流不均,此时的1+1小于2,特别是严重不均流时,通态电流大的器件将损坏,这是半导体器件并联中老大难的问题,为此,要提高斩波包括其它电力电子设备的可靠性,应该尽量避免器件并联,而采用单管大电流器件。
 从理论上讲,IGBT在大电流状态具有正温度系数,可以改善均流性能,但是毕竟有限,加上可控半导体器件的均流还要考虑驱动一致性,否则,既使导通特性一致,也无法实现均流,这样,就给IGBT并联造成了极大困难。

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