英飞凌FF1400R12IP4

英飞凌FF1400R12IP4 

  英飞凌FF1400R12IP4 是带有温度检测NTC的PrimePACK™3模块，采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管,其电气有很强的坚固性，高短路能力，并带有自限制短路电流 ，辅助逆变器、大功率变流器、电机传动、牵引变流器、风力发电机、UPS系统等工业电子设备中得到广泛的应用。

 

  英飞凌FF1400R12IP4 IGBT模块是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有 MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

 

英飞凌FF1400R12IP4 机械特性 

• 4kV交流1分钟绝缘 

• 封装的CTI>400 

• 高爬电距离和电气间隙 

• 高功率循环和温度循环能力 

• 高功率密度 

• 低热阻衬底 

 

 基本参数：1400A/1700V/2U  PrimePACK™3模块

 

 【英飞凌FF1400R12IP4 产品参数】

产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	英飞凌FF1000R17IE4D_B2
配置：	Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：	1700 V
集电极—射极饱和电压：	2.45 V
在25 C的连续集电极电流：	1400A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	20mW
总功率损耗	7.65 KW
最大工作温度：	+ 150 C
封装 / 箱体：	PRIME3
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压：	+/- 20 V
最小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品报价和PDF资料：	联系索取或咨询

 

 

 　IGBT模块有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移(半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因)，本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。

 

   若在IGB模块T的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。